GP200 Series Metal Sealed Pressure-based Gas Mass Flow Controllers

특징

• 정확한 차압 측정 기술 (True Differential Pressure Measurement)
• 낮은 공급 압력에서의 작동
• 후단 밸브 구조 (Downstream Valve Architecture)
• 응답속도의 재현성 (Matched Transient Response)
• Zero Leak 제어 밸브 (Zero Leak-by Control Valve)
• MultiFlo™ 기술은 비할 데 없는 유연성을 제공합니다. 가스 라인에서 MFC를 제거하거나 정확도를 손상시키지 않고도 하나의 장치를 수천 가지 다른 가스 및 유량 범위 구성에 대해 프로그래밍할 수 있습니다.
• 로컬 디스플레이는 유량, 온도, 압력 및 네트워크 주소를 나타냅니다.
• DeviceNet™, EtherCAT®, RS-485 L-프로토콜 및 아날로그 인터페이스  

장점

• GP200은 차압 기술을 사용함으로서 분리된 두 개의 압력 변환기를 일치시키고 보정할 필 요가 없으므로 측정 불확실성이 감소하고 정확도, 반복성 및 드리프트 성능이 향상됩니다.
• 낮은 차압 측정을 위한 GP200 의 최적화된 차압 센서 덕분에 P-MFC 를 사용하여 낮은공급 압력에서 보다 안전하게 팹을 운영할 수 있습니다.
• GP200의 후단(Downstream) Valve 구조는 Accuracy가 후단압력의 영향을 받지 해주므로로 후단이 1200 Torr 의 높은 압력일지라도 Gas 를 전달할 수 있습니다. GP200 의 Fast Closing Valve는 내부 가스를 Bleeding하는 데 추가 시간이 필요한 Upstream MFC Valve 설계에서 볼 수 있는 비생산적인 Recipe 대기시간, 즉 "Tail Effects"를 해결합니다.
• Flow의 다양한 변화에 다라 매우 빠르고, 높은 반복성을 가진 안정화 시간은 첨단 High Cycle Deposition 및 Etch 프로세스에서 보다 엄격한 프로세스 제어가 가능하게 합니다.
• Valve Shut - down의 100배 개선을 통해 측정되지 않은 가스(MFC제어 밸브와 Downstream 차단 밸브 사이)의 축적이 공정 첫 번째 웨이퍼의 불균일성 및 임계 치수(CD)결함을 야기하 는 오래된 과제인 "First wafer effect"가 해결됩니다.
• MultiFlo™를 사용하면 최적의 프로세스 및 재고 유연성을 위해 정확도, 턴다운 또는 사양별 누출에 영향을 주지 않고 MFC 전체 규모 유량 범위를 일반적으로 3:1 비율로 다시 축소할 수 있습니다.
• 편리한 사용자 디스플레이 및 독립적인 진단/서비스 포트는 장치 설치, 모니터링 및 문제 해결을 지원합니다.

주요 응용분야

• 반도체 제조
• 에칭
• 화학 기상 증착(CVD)
• 고순도 전체 금속 유로가 필요한 가스 유량 제어 애플리케이션